IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF1010EPBF
N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Корпус
крутизна характеристики, s69
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт200
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Корпус
крутизна характеристики, s69
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт200
максимальное напряжение сток-исток uси,в60
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в20
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а84
пороговое напряжение на затворе2…4
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)0.012 Ом/50А, 10В
Структураn-канал
вес, г2.5
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль