IPW60R160P6FKSA1, Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPW60R160P6FKSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор HIGH POWER_LEGACY
| Вес и габариты | |
| base product number | IPW60R160 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 23.8A (Tc) |
| длина | 16.13 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 600V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| другие названия товара № | IPW60R160P6 SP001017092 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 44nC @ 10V |
| Высота | 21.1 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 23.8 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 2080pF @ 100V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | CoolMOS |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-247-3 |
| pd - рассеивание мощности | 176 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 176W (Tc) |
| qg - заряд затвора | 44 nC |
| размер фабричной упаковки | 240 |
| rds on (max) @ id, vgs | 160mOhm @ 9A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 144 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | CoolMOSв„ў P6 -> |
| серия | CoolMOS P6 |
| supplier device package | PG-TO247-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 12.5 ns |
| типичное время задержки выключения | 40 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4.5V @ 750ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 7.6 ns |
| время спада | 5.8 ns |
| Ширина | 5.21 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26