IPT65R195G7XTMA1, Trans MOSFET N-CH 650V 14A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPT65R195G7XTMA1
МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина10.58 mm
drain source on state resistance0.17Ом
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина10.58 mm
drain source on state resistance0.17Ом
другие названия товара №IPT65R195G7 SP001456206
Высота 2.4 мм
id - непрерывный ток утечки14 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов8вывод(-ов)
коммерческое обозначениеCoolMOS
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds650В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока14А
pd - рассеивание мощности97 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs3.5В
power dissipation97Вт
qg - заряд затвора20 nC
рассеиваемая мощность97Вт
размер фабричной упаковки2000
rds вкл - сопротивление сток-исток424 mOhms
серияCoolMOS G7
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.17Ом
стиль корпуса транзистораHSOF
технологияSi
типичное время задержки при включении9 ns
типичное время задержки выключения46 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокHSOF-8
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5 ns
время спада9 ns
Ширина10.1 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль