Name: IPT60R150G7XTMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 17 А, 0.129 Ом, HSOF, Surface Mount
SKU: IPT60R150G7XTMA1

МОП-транзистор HIGH POWER NEW

Подробное описание

900 ₽

– +

Бонус: 18 !

Бонусная программа

Итого: 900 ₽

Купить

МОП-транзистор HIGH POWER NEW

Вес и габариты
другие названия товара №	IPT60R150G7 SP001579346
id - непрерывный ток утечки	17 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	106 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	23 nC
размер фабричной упаковки	2000
rds вкл - сопротивление сток-исток	129 mOhms
серия	CoolMOS G7
технология	Si
типичное время задержки при включении	17 ns
типичное время задержки выключения	56 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка / блок	HSOF-8
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	0.6
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	5 ns
время спада	6 ns

Отзывов нет

Кнопки