Name: IPT60R125G7XTMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 20 А, 0.108 Ом, HSOF, Surface Mount
SKU: IPT60R125G7XTMA1

МОП-транзистор HIGH POWER NEW

Подробное описание

1 170 ₽

– +

Бонус: 23.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 170 ₽

Купить

МОП-транзистор HIGH POWER NEW

Вес и габариты
другие названия товара №	IPT60R125G7 SP001579334
id - непрерывный ток утечки	20 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	120 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	27 nC
размер фабричной упаковки	2000
rds вкл - сопротивление сток-исток	108 mOhms
серия	CoolMOS G7
технология	Si
типичное время задержки при включении	18 ns
типичное время задержки выключения	60 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	HSOF-8
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	0.6
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	5 ns
время спада	5 ns

Отзывов нет

Кнопки