IPSA70R1K2P7SAKMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 700 В, 4.5 А, 0.98 Ом, TO-251, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPSA70R1K2P7SAKMA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPSA70R1K2P7S, SP001664784
| Вес и габариты | |
| base product number | IPSA70 -> |
| channel type | N Channel |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 4.5A (Tc) |
| drain source on state resistance | 0.98Ом |
| drain to source voltage (vdss) | 700V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| другие названия товара № | IPSA70R1K2P7S SP001664784 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 4.8nC @ 400V |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 174pF @ 400V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| минимальная рабочая температура | 40 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение истока-стока vds | 700В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 4.5А |
| operating temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| pd - рассеивание мощности | 25 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N Канал |
| пороговое напряжение vgs | 3В |
| power dissipation | 25Вт |
| power dissipation (max) | 25W (Tc) |
| qg - заряд затвора | 4.8 nC |
| рассеиваемая мощность | 25Вт |
| размер фабричной упаковки | 1500 |
| rds on (max) @ id, vgs | 1.2Ohm @ 900mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 980 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | CoolMOSв„ў P7 -> |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.98Ом |
| стиль корпуса транзистора | TO-251 |
| supplier device package | PG-TO251-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 12 ns |
| типичное время задержки выключения | 60 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | PG-TO-251-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| вес, г | 0.34 |
| vgs (max) | В±16V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| vgs(th) (max) @ id | 3.5V @ 40ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 4.8 ns |
| время спада | 48 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26