IPS70R1K4P7SAKMA1, Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPS70R1K4P7SAKMA1
МОП-транзистор
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c4A
длина6.73 mm
другие названия товара №IPS70R1K4P7S SP001499706
48
+
Бонус: 0.96 !
Бонусная программа
Итого: 48
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c4A
длина6.73 mm
другие названия товара №IPS70R1K4P7S SP001499706
Высота 6.22 мм
id - непрерывный ток утечки4 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеCoolMOS
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
pd - рассеивание мощности22.7 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)22.7W
qg - заряд затвора4.7 nC
размер фабричной упаковки1500
rds on - drain-source resistance1.4О© @ 700mA,10V
rds вкл - сопротивление сток-исток1.15 Ohms
серияCoolMOS P7
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения63 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
transistor polarityN Channel
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
vds - drain-source breakdown voltage700V
vds - напряжение пробоя сток-исток700 V
vgs - gate-source voltage3.5V @ 40uA
vgs - напряжение затвор-исток16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания4.9 ns
время спада61 ns
Ширина2.38 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль