Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPP65R065C7, SP001080100

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.058Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

1 770 ₽

– +

Бонус: 35.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 770 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPP65R065C7, SP001080100

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.058Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
линейка продукции	CoolMOS C7
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Through Hole
напряжение истока-стока vds	650В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	33А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	3.5В
power dissipation	171Вт
рассеиваемая мощность	171Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.058Ом
стиль корпуса транзистора	TO-220
вес, г	0.1

Отзывов нет

Кнопки

IPP65R065C7XKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 33 А, 0.058 Ом, TO-220, Through Hole