IPP200N15N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 50А, 150Вт, PG-TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPP200N15N3GXKSA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 150 В, 50 А (Tc) 150 Вт (Tc), сквозное отверстие PG-TO220-3
Вес и габариты
base product numberIPP200 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c50A (Tc)
drain to source voltage (vdss)150V
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 150 В, 50 А (Tc) 150 Вт (Tc), сквозное отверстие PG-TO220-3
Вес и габариты
base product numberIPP200 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c50A (Tc)
drain to source voltage (vdss)150V
drive voltage (max rds on, min rds on)8V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs31nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds1820pF @ 75V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
power dissipation (max)150W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs20mOhm @ 50A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesOptiMOSв„ў ->
supplier device packagePG-TO220-3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
вес, г2.8
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 90ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль