Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPP120N08S4-03, SP000989106

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0024Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

770 ₽

– +

Бонус: 15.4 !

Бонусная программа

Итого: 770 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPP120N08S4-03, SP000989106

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0024Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
линейка продукции	OptiMOS T2
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Through Hole
напряжение истока-стока vds	80В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	120А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	3В
power dissipation	278Вт
рассеиваемая мощность	278Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0024Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	TO-220
вес, г	0.1

Отзывов нет

Кнопки

IPP120N08S403AKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 120 А, 0.0024 Ом, TO-220, Through Hole