Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220, инфо: Транзистор полевой N-канальный 200В 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 тубаN-канал 200 В 88A (Tc) 300 Вт (Tc) сквозное отверстие PG-TO220-3

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	IPP110 ->
channel mode:	Enhancement
configuration:	Single

Все характеристики

1 110 ₽

– +

Бонус: 22.2 !

Бонусная программа

Итого: 1 110 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
base product number	IPP110 ->
channel mode:	Enhancement
configuration:	Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c	88A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	200V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
eccn	EAR99
factory pack quantity: factory pack quantity:	500
fall time:	11 ns
fet type	N-Channel
forward transconductance - min:	71 S
gate charge (qg) (max) @ vgs	87nC @ 10V
htsus	8541.29.0095
id - continuous drain current:	88 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds	7100pF @ 100V
manufacturer:	Infineon
maximum operating temperature:	+175 C
minimum operating temperature:	-55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting style:	Through Hole
mounting type	Through Hole
number of channels:	1 Channel
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
package/case:	TO-220-3
packaging:	Tube
part # aliases:	IPP110N20N3 G SP000677892
pd - power dissipation:	300 W
power dissipation (max)	300W (Tc)
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
qg - gate charge:	87 nC
rds on - drain-source resistance:	9.9 mOhms
rds on (max) @ id, vgs	11mOhm @ 88A, 10V
reach status	REACH Unaffected
rise time:	26 ns
rohs status	ROHS3 Compliant
series	OptiMOSв„ў ->
series:	OptiMOS 3
subcategory:	MOSFETs
supplier device package	PG-TO220-3
technology	MOSFET (Metal Oxide)
technology:	Si
tradename:	OptiMOS
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
typical turn-off delay time:	41 ns
typical turn-on delay time:	18 ns
vds - drain-source breakdown voltage:	200 V
вес, г	3.38
vgs - gate-source voltage:	-20 V, +20 V
vgs (max)	В±20V
vgs th - gate-source threshold voltage:	2 V
vgs(th) (max) @ id	4V @ 270ВµA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IPP110N20N3GXKSA1