IPP072N10N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 80А, 150Вт, PG-TO220-3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPP072N10N3GXKSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
| Вес и габариты | |
| automotive | Unknown |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| длина | 10 mm |
| другие названия товара № | IPP72N1N3GXK SP000680830 IPP072N10N3GXKSA1 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| Высота | 15.65 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | OptiMOS |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 50 S |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| maximum continuous drain current (a) | 80 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 7.2 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| maximum power dissipation (mw) | 150000 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tube |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 150 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| ppap | Unknown |
| process technology | OptiMOS |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 68 nC |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 6.2 mOhms |
| серия | OptiMOS 3 |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220 |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 19 ns |
| типичное время задержки выключения | 37 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| typical fall time (ns) | 9 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 51 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 51 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 3690 50V |
| typical rise time (ns) | 37 |
| typical turn-off delay time (ns) | 37 |
| typical turn-on delay time (ns) | 19 |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| вес, г | 3.09 |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 37 ns |
| время спада | 9 ns |
| Ширина | 4.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26