Name: IPDD60R190G7XTMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 13 А, 0.164 Ом, HDSOP, Surface Mount
SKU: IPDD60R190G7XTMA1

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Подробное описание

700 ₽

– +

Бонус: 14 !

Бонусная программа

Итого: 700 ₽

Купить

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Вес и габариты
другие названия товара №	IPDD60R190G7 SP001632844
id - непрерывный ток утечки	13 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	76 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	18 nC
размер фабричной упаковки	1700
rds вкл - сопротивление сток-исток	190 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	16 ns
типичное время задержки выключения	52 ns
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	PG-HDSOP-10
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	8
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	5 ns
время спада	6.5 ns

Отзывов нет

Кнопки