Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD900P06NM, SP004987258

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	P Channel
drain source on state resistance	0.075Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

260 ₽

– +

Бонус: 5.2 !

Бонусная программа

Итого: 260 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD900P06NM, SP004987258

Вес и габариты
channel type	P Channel
drain source on state resistance	0.075Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
линейка продукции	OptiMOS
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	60В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	16.4А
полярность транзистора	P Канал
пороговое напряжение vgs	3В
power dissipation	63Вт
рассеиваемая мощность	63Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.075Ом
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
вес, г	4.54

Отзывов нет

Кнопки

IPD900P06NMATMA1, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 16.4 А, 0.075 Ом, TO-252 (DPAK), Surface