Name: IPD80R1K0CEATMA1, Trans MOSFET N-CH 800V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Brand: Infineon
SKU: IPD80R1K0CEATMA1

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE

Подробное описание

300 ₽

– +

Бонус: 6 !

Бонусная программа

Итого: 300 ₽

Купить

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE

Основные
Производитель	Infineon
Вес и габариты
число контактов	3
длина	6.73мм
Высота	2.41 мм
категория	Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис	1
максимальная рабочая температура	+150 °C
максимальное напряжение сток-исток	800 В
максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
максимальное рассеяние мощности	83 Вт
максимальное сопротивление сток-исток	950 мΩ
максимальный непрерывный ток стока	5,7 А
материал транзистора	Кремний
maximum gate threshold voltage	3.9V
минимальная рабочая температура	-55 °C
minimum gate threshold voltage	2.1V
номер канала	Поднятие
прямое напряжение диода	1.2V
размеры	6.73 x 6.22 x 2.41мм
серия	CoolMOS CE
типичная входная емкость при vds	785 пФ при 100 В
типичное время задержки включения	25 ns
типичное время задержки выключения	72 ns
типичный заряд затвора при vgs	31 nC @ 10 V
тип канала	N
тип корпуса	DPAK (TO-252)
тип монтажа	Поверхностный монтаж
transistor configuration	Одинарный
Ширина	6.22 мм

Отзывов нет

Кнопки