IPD5N25S3430ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 250 В, 5 А, 0.37 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPD5N25S3430ATMA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD5N25S3-430, SP000876584
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.37Ом
количество выводов3вывод(-ов)
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD5N25S3-430, SP000876584
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.37Ом
количество выводов3вывод(-ов)
линейка продукцииOptiMOS T
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds250В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation41Вт
рассеиваемая мощность41Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.37Ом
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вес, г0.43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль