Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD50R1K4CE, SP001396808

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	1.26Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD50R1K4CE, SP001396808

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	1.26Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
линейка продукции	CoolMOS CE
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	500В
напряжение измерения rds(on)	13В
непрерывный ток стока	4.8А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	3В
power dissipation	42Вт
рассеиваемая мощность	42Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	1.26Ом
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов
вес, г	0.91

Отзывов нет

Кнопки

IPD50R1K4CEAUMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 4.8 А, 1.26 Ом, TO-252 (DPAK), Surface M