Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD50N06S4-09, SP001028662

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0071Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

270 ₽

– +

Бонус: 5.4 !

Бонусная программа

Итого: 270 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD50N06S4-09, SP001028662

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0071Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
линейка продукции	OptiMOS T2
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	60В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	50А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	3В
power dissipation	71Вт
рассеиваемая мощность	71Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0071Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
вес, г	0.1

Отзывов нет

Кнопки

IPD50N06S409ATMA2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 50 А, 0.0071 Ом, TO-252 (DPAK), Surface