IPD50N06S2L13ATMA2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 55 В, 50 А, 0.0102 Ом, TO-252 (DPAK), Surface

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD50N06S2L-13, SP001063626

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode:	Enhancement
channel type	N Channel
configuration:	Single

Все характеристики

360 ₽

– +

Бонус: 7.2 !

Бонусная программа

Итого: 360 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD50N06S2L-13, SP001063626

Вес и габариты
channel mode:	Enhancement
channel type	N Channel
configuration:	Single
drain source on state resistance	0.0102Ом
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500
fall time:	12 ns
id - continuous drain current:	50 A
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
линейка продукции	OptiMOS
максимальная рабочая температура	175 C
manufacturer:	Infineon
maximum operating temperature:	+175 C
minimum operating temperature:	-55 C
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting style:	SMD/SMT
напряжение истока-стока vds	55В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	50А
number of channels:	1 Channel
package/case:	TO-252-3
packaging:	Reel, Cut Tape
part # aliases:	IPD50N06S2L-13 SP001063626
pd - power dissipation:	136 W
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	1.6В
power dissipation	136Вт
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
qg - gate charge:	69 nC
qualification:	AEC-Q101
рассеиваемая мощность	136Вт
rds on - drain-source resistance:	12.7 mOhms
rise time:	29 ns
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0102Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
subcategory:	MOSFETs
technology:	Si
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
typical turn-off delay time:	43 ns
typical turn-on delay time:	9 ns
vds - drain-source breakdown voltage:	55 V
вес, г	0.68
vgs - gate-source voltage:	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	1.6 V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IPD50N06S2L13ATMA2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 55 В, 50 А, 0.0102 Ом, TO-252 (DPAK), Surface