IPD40DP06NMATMA1, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 4.3 А, 0.328 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mou

МОП-транзистор TRENCH 40

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки
4.3 A
Pd - рассеивание мощности
19 W
Qg - заряд затвора
6.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
6 ns
Время спада
4 ns
Другие названия товара №
IPD40DP06NM SP004987264
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
3.8 S
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
P-Channel
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
IPD06P007
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
10 ns
Типичное время задержки при включении
4 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Reel, Cut Tape
Упаковка / блок
TO-252-3
Вес, г
4.54

Техническая