Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD35N12S3L-24, SP001398656

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.02Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD35N12S3L-24, SP001398656

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.02Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
линейка продукции	OptiMOS-T
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	120В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	35А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	1.7В
power dissipation	71Вт
рассеиваемая мощность	71Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.02Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
вес, г	0.68

Отзывов нет

Кнопки

IPD35N12S3L24ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 120 В, 35 А, 0.02 Ом, TO-252 (DPAK), Surface