IPD30N06S4L23ATMA2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 30 А, 0.018 Ом, TO-252 (DPAK), Surface

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPD30N06S4L23ATMA2
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD30N06S4L-23, SP001028638 • Optima's® -T2 power transistor• N-channel, enhancement mode• Automotive grade AEC Q101 qualified• 100% avalanche tested
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.018Ом
количество выводов3вывод(-ов)
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD30N06S4L-23, SP001028638
• Optima's® -T2 power transistor• N-channel, enhancement mode• Automotive grade AEC Q101 qualified• 100% avalanche tested
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.018Ом
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииOptiMOS T2
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds60В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока30А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs1.7В
power dissipation38Вт
рассеиваемая мощность38Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.018Ом
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
вес, г0.1
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль