Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD22N08S2L-50, SP000252163

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0385Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

260 ₽

– +

Бонус: 5.2 !

Бонусная программа

Итого: 260 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPD22N08S2L-50, SP000252163

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0385Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
линейка продукции	OptiMOS
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	75В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	27А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	1.6В
power dissipation	75Вт
рассеиваемая мощность	75Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0385Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
вес, г	0.1

Отзывов нет

Кнопки

IPD22N08S2L50ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 75 В, 27 А, 0.0385 Ом, TO-252 (DPAK), Surface