Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB80P04P4L-04, SP000840196

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	P Channel
drain source on state resistance	0.0038Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB80P04P4L-04, SP000840196

Вес и габариты
channel type	P Channel
drain source on state resistance	0.0038Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
линейка продукции	OptiMOS P2
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	40В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	80А
полярность транзистора	P Канал
пороговое напряжение vgs	1.7В
power dissipation	125Вт
рассеиваемая мощность	125Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0038Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	TO-263(D2PAK)
вес, г	0.1

Отзывов нет

Кнопки

IPB80P04P4L04ATMA1, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 80 А, 0.0038 Ом, TO-263 (D2PAK), Surfac