IPB80N08S207ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 75 В, 80 А, 0.0055 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPB80N08S207ATMA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB80N08S2-07, SP000219048 • Optima's® power transistor• N-channel enhancement mode• Automotive AEC Q101 qualified• Ultra-low Rds(on)• 100% avalanche tested
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0055Ом
количество выводов3вывод(-ов)
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB80N08S2-07, SP000219048
• Optima's® power transistor• N-channel enhancement mode• Automotive AEC Q101 qualified• Ultra-low Rds(on)• 100% avalanche tested
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0055Ом
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииOptiMOS
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds75В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока80А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation300Вт
рассеиваемая мощность300Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0055Ом
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораTO-263(D2PAK)
вес, г0.1
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль