Name: IPB65R095C7ATMA2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 24 А, 0.084 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mo
SKU: IPB65R095C7ATMA2

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Подробное описание

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Вес и габариты
другие названия товара №	IPB65R095C7 SP002447562
id - непрерывный ток утечки	24 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	CoolMOS
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	128 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	45 nC
размер фабричной упаковки	1000
rds вкл - сопротивление сток-исток	84 mOhms
серия	CoolMOS C7
технология	Si
типичное время задержки при включении	14 ns
типичное время задержки выключения	60 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка / блок	TO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
вес, г	2
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	12 ns
время спада	7 ns

Отзывов нет

Кнопки