Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB60R099CPA, SP000315443

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.09Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

1 970 ₽

– +

Бонус: 39.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 970 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB60R099CPA, SP000315443

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.09Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
квалификация	AEC-Q101
линейка продукции	CoolMOS
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	600В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	31А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	3В
power dissipation	255Вт
рассеиваемая мощность	255Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.09Ом
стандарты автомобильной промышленности	AEC-Q101
стиль корпуса транзистора	TO-263(D2PAK)
вес, г	1.43

Отзывов нет

Кнопки

IPB60R099CPAATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 31 А, 0.09 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface