IPB60R060P7ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 48 А, 0.049 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPB60R060P7ATMA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB60R060P7, SP001664882
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.049Ом
другие названия товара №IPB60R060P7 SP001664882
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB60R060P7, SP001664882
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.049Ом
другие названия товара №IPB60R060P7 SP001664882
id - непрерывный ток утечки48 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
линейка продукцииCoolMOS P7
максимальная рабочая температура150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds600В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока48А
pd - рассеивание мощности164 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs3.5В
power dissipation164Вт
qg - заряд затвора67 nC
рассеиваемая мощность164Вт
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток49 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.049Ом
стиль корпуса транзистораTO-263(D2PAK)
технологияSi
типичное время задержки при включении23 ns
типичное время задержки выключения79 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокTO-263-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г1
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания12 ns
время спада4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль