Name: IPB60R055CFD7ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 38 А, 0.046 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface
SKU: IPB60R055CFD7ATMA1

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Подробное описание

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

МОП-транзистор HIGH POWER_NEW

Вес и габариты
другие названия товара №	IPB60R055CFD7 SP002621130
id - непрерывный ток утечки	38 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	178 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	79 nC
размер фабричной упаковки	1000
rds вкл - сопротивление сток-исток	55 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	26 ns
типичное время задержки выключения	98 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	TO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	4.536
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	27 ns
время спада	5 ns

Отзывов нет

Кнопки