IPB17N25S3100ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 250 В, 17 А, 0.085 Ом, TO-263 (D2PAK), Surfac
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPB17N25S3100ATMA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB17N25S3-100, SP000876560
| Вес и габариты | |
| automotive | Yes |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N Channel |
| configuration | Single |
| длина | 10 mm |
| drain source on state resistance | 0.085Ом |
| другие названия товара № | IPB17N25S3-100 SP000876560 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| Высота | 4.4 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| lead shape | Gull-wing |
| линейка продукции | OptiMOS T |
| максимальная рабочая температура | 175 C |
| maximum continuous drain current (a) | 17 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 100 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 250 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| maximum power dissipation (mw) | 107000 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение истока-стока vds | 250В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 17А |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 107 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N Канал |
| пороговое напряжение vgs | 3В |
| power dissipation | 107Вт |
| ppap | Unknown |
| process technology | OptiMOS |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 19 nC |
| рассеиваемая мощность | 107Вт |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
| серия | XPB17N25 |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.085Ом |
| standard package name | TO-263 |
| стандарты автомобильной промышленности | AEC-Q101 |
| стиль корпуса транзистора | TO-263(D2PAK) |
| supplier package | D2PAK |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 4.4 ns |
| типичное время задержки выключения | 7.5 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| typical fall time (ns) | 1.2 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 14 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 14 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 1133 25V |
| typical rise time (ns) | 3.7 |
| typical turn-off delay time (ns) | 7.5 |
| typical turn-on delay time (ns) | 4.4 |
| упаковка / блок | TO-263-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| вес, г | 0.1 |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 3.7 ns |
| время спада | 1.2 ns |
| Ширина | 9.25 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26