IPB073N15N5ATMA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
IPB073N15N5, SP001180660 • OptiMOS™ 5 power-transistor• Excellent gate charge xRDS(on) product(FOM)• Very low on-resistance RDS(on)• Very low reverse recovery charge (Qrr)• 175°C operating temperature• Qualified according to JEDEC for target application• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0056Ом
количество выводов3вывод(-ов)
1 440
+
Бонус: 28.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
IPB073N15N5, SP001180660
• OptiMOS™ 5 power-transistor• Excellent gate charge xRDS(on) product(FOM)• Very low on-resistance RDS(on)• Very low reverse recovery charge (Qrr)• 175°C operating temperature• Qualified according to JEDEC for target application• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.0056Ом
количество выводов3вывод(-ов)
линейка продукцииOptiMOS 5
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds150В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока114А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs3.8В
power dissipation214Вт
рассеиваемая мощность214Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0056Ом
стиль корпуса транзистораTO-263(D2PAK)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль