IPB072N15N3GATMA1

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: PG-TO263-3 (D2Pak), инфо: Транзистор полевой N-канальный 150В 100А 300ВтПроизводитель:
Infineon
 
Категория продукта:
МОП-транзистор
 
Технология:
Si
 
Вид монтажа:
SMD/SMT
 
Упаковка / блок:
TO-263-3
 
Полярность транзистора:
N-Channel
 
Количество каналов:
1 Channel
 
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
150 V
 
Id - непрерывный ток утечки:
100 A
 
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
5.8 mOhms
 
Vgs - напряжение затвор-исток:
- 20 V, + 20 V
 
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
2 V
 
Qg - заряд затвора:
93 nC
 
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
 
Максимальная рабочая температура:
+ 175 C
 
Pd - рассеивание мощности:
300 W
 
Канальный режим:
Enhancement
 
Упаковка:
Cut Tape
 
Упаковка:
MouseReel
 
Упаковка:
Reel
 
Конфигурация:
Single
 
Высота:
4.4 mm
 
Длина:
10 mm
 
Тип транзистора:
1 N-Channel
 
Ширина:
9.25 mm
 
Торговая марка:
Infineon Technologies
 
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
65 S
 
Время спада:
1