Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Подробное описание

Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c	100A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)	300W(Tc)
rds on - drain-source resistance	7.2mО© @ 100A,10V

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c	100A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)	300W(Tc)
rds on - drain-source resistance	7.2mО© @ 100A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	150V
vgs - gate-source voltage	4V @ 270uA

Отзывов нет

Кнопки

IPB072N15N3G