Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB049N08N5, SP001227052

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0043Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPB049N08N5, SP001227052

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0043Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	80В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	80А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	3В
power dissipation	125Вт
рассеиваемая мощность	125Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0043Ом
стиль корпуса транзистора	TO-263(D2PAK)
вес, г	0.1

Отзывов нет

Кнопки

IPB049N08N5ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 80 А, 0.0043 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface