Вес и габариты | |
другие названия товара № | IPAN60R600P7S SP001866160 |
id - непрерывный ток утечки | 6 A |
канальный режим | Enhancement |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество каналов | 1 Channel |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
минимальная рабочая температура | 40 C |
pd - рассеивание мощности | 21 W |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | N-Channel |
qg - заряд затвора | 9 nC |
размер фабричной упаковки | 500 |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
технология | Si |
типичное время задержки при включении | 7 ns |
типичное время задержки выключения | 37 ns |
тип продукта | MOSFET |
торговая марка | Infineon Technologies |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-220-3 |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
вес, г | 2 |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
вид монтажа | Through Hole |
время нарастания | 6 ns |
время спада | 19 ns |