IPA80R650CEXKSA2, Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IPA80R650CEXKSA2
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор CONSUMER
Вес и габариты
base product number
IPA80R650 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c
8A (Ta)
длина
10.65 mm
drain to source voltage (vdss)
800V
drive voltage (max rds on, min rds on)
10V
другие названия товара №
IPA80R650CE SP001313394
eccn
EAR99
fet type
N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs
45nC @ 10V
Высота
16.15 мм
htsus
8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds
1100pF @ 100V
категория продукта
МОП-транзистор
коммерческое обозначение
CoolMOS
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
mounting type
Through Hole
operating temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package
Tube
package / case
TO-220-3 Full Pack
подкатегория
MOSFETs
power dissipation (max)
33W (Tc)
размер фабричной упаковки
500
rds on (max) @ id, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
reach status
REACH Unaffected
rohs status
ROHS3 Compliant
series
CoolMOSв„ў ->
серия
CoolMOS CE
supplier device package
TO-220-3F
technology
MOSFET (Metal Oxide)
технология
Si
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-220FP-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
vgs (max)
В±20V
vgs(th) (max) @ id
3.9V @ 470ВµA
вид монтажа
Through Hole
Ширина
4.85 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26