IPA70R750P7SXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 700 В, 6.5 А, 0.62 Ом, TO-220FP, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPA70R750P7SXKSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPA70R750P7S, SP001664858
| Вес и габариты | |
| base product number | IPA70R750 -> |
| channel type | N Channel |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 6.5A (Tc) |
| drain source on state resistance | 0.62Ом |
| drain to source voltage (vdss) | 700V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| другие названия товара № | IPA70R750P7S SP001664858 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 8.3nC @ 400V |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 306pF @ 400V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| конфигурация | Single |
| линейка продукции | CoolMOS P7 |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| минимальная рабочая температура | 40 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение истока-стока vds | 700В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 6.5А |
| operating temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 Full Pack |
| pd - рассеивание мощности | 21.2 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N Канал |
| пороговое напряжение vgs | 3В |
| power dissipation | 21.2Вт |
| power dissipation (max) | 21.2W (Tc) |
| qg - заряд затвора | 8.3 nC |
| рассеиваемая мощность | 21.2Вт |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| rds on (max) @ id, vgs | 750mOhm @ 1.4A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 620 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | CoolMOSв„ў P7 -> |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.62Ом |
| стиль корпуса транзистора | TO-220FP |
| supplier device package | PG-TO220 Full Pack |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 12 ns |
| типичное время задержки выключения | 60 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| вес, г | 0.26 |
| vgs (max) | В±16V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| vgs(th) (max) @ id | 3.5V @ 70ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 5 ns |
| время спада | 27 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26