IPA65R1K0CEXKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 7.2 А, 0.86 Ом, TO-220FP, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPA65R1K0CEXKSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыIPA65R1K0CE, SP001429758
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel mode: | Enhancement |
| channel type | N Channel |
| configuration | Single |
| configuration: | Single |
| drain source on state resistance | 0.86Ом |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 500 |
| fall time: | 13.6 ns |
| id - continuous drain current: | 7.2 A |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| manufacturer: | Infineon |
| maximum continuous drain current (a) | 7.2 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 1000 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 650 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | 20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 3.5 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 68000 |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting | Through Hole |
| mounting style: | Through Hole |
| напряжение истока-стока vds | 650В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 7.2А |
| number of channels: | 1 Channel |
| number of elements per chip | 1 |
| package/case: | TO-220-3 |
| packaging | Tube |
| packaging: | Tube |
| part # aliases: | IPA65R1K0CE SP001429758 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation: | 68 W |
| pin count | 3 |
| полярность транзистора | N Канал |
| пороговое напряжение vgs | 3В |
| power dissipation | 68Вт |
| ppap | No |
| process technology | CoolMOS CE |
| product category | Power MOSFET |
| product category: | MOSFET |
| product type: | MOSFET |
| qg - gate charge: | 15.3 nC |
| рассеиваемая мощность | 68Вт |
| rds on - drain-source resistance: | 2.22 Ohms |
| rise time: | 5.2 ns |
| series: | CoolMOS CE |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.86Ом |
| standard package name | TO-220 |
| стиль корпуса транзистора | TO-220FP |
| subcategory: | MOSFETs |
| supplier package | TO-220FP |
| tab | Tab |
| technology: | Si |
| tradename: | CoolMOS |
| transistor polarity: | N-Channel |
| typical fall time (ns) | 13.6 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 15.3 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 15.3 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 328 100V |
| typical rise time (ns) | 5.2 |
| typical turn-off delay time: | 41 ns |
| typical turn-off delay time (ns) | 41 |
| typical turn-on delay time: | 6.6 ns |
| typical turn-on delay time (ns) | 6.6 |
| vds - drain-source breakdown voltage: | 650 V |
| вес, г | 0.1 |
| vgs - gate-source voltage: | -20 V, +20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage: | 3 V |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26