IMW65R072M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 26 А, 650 В, 0.072 Ом, TO-247

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IMW65R072M1HXKSA1
МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Вес и габариты
base product numberIMW65R072 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c26A (Tc)
другие названия товара №:IMW65R072M1H SP005398438
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Вес и габариты
base product numberIMW65R072 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c26A (Tc)
другие названия товара №:IMW65R072M1H SP005398438
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки:26 A
канальный режим:Enhancement
категория продукта:МОП-транзистор
количество каналов:1 Channel
коммерческое обозначение:CoolSiC
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
packageTube
pd - рассеивание мощности:96 W
подкатегория:MOSFETs
полярность транзистора:N-Channel
производитель:infineon
qg - заряд затвора:22 nC
размер фабричной упаковки:240
rds вкл - сопротивление сток-исток:94 mOhms
rohs statusROHS3 Compliant
серия:IMW65R072
технология:SiC
типичное время задержки при включении:18.2 ns
типичное время задержки выключения:21.6 ns
тип продукта:MOSFET
тип транзистора:1 N-Channel
торговая марка:Infineon Technologies
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток:650 V
вес, г1
vgs - напряжение затвор-исток:- 5 V, + 23 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :5.7 V
вид монтажа:Through Hole
время нарастания:14.6 ns
время спада:6 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль