IMW65R072M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 26 А, 650 В, 0.072 Ом, TO-247
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IMW65R072M1HXKSA1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Вес и габариты
base product number
IMW65R072 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c
26A (Tc)
другие названия товара №:
IMW65R072M1H SP005398438
eccn
EAR99
htsus
8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки:
26 A
канальный режим:
Enhancement
категория продукта:
МОП-транзистор
количество каналов:
1 Channel
коммерческое обозначение:
CoolSiC
конфигурация:
Single
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
минимальная рабочая температура:
- 55 C
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
package
Tube
pd - рассеивание мощности:
96 W
подкатегория:
MOSFETs
полярность транзистора:
N-Channel
производитель:
infineon
qg - заряд затвора:
22 nC
размер фабричной упаковки:
240
rds вкл - сопротивление сток-исток:
94 mOhms
rohs status
ROHS3 Compliant
серия:
IMW65R072
технология:
SiC
типичное время задержки при включении:
18.2 ns
типичное время задержки выключения:
21.6 ns
тип продукта:
MOSFET
тип транзистора:
1 N-Channel
торговая марка:
Infineon Technologies
упаковка:
Tube
упаковка / блок:
TO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток:
650 V
вес, г
1
vgs - напряжение затвор-исток:
- 5 V, + 23 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
5.7 V
вид монтажа:
Through Hole
время нарастания:
14.6 ns
время спада:
6 ns
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26