IMW65R048M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 39 А, 650 В, 0.048 Ом, TO-247
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IMW65R048M1HXKSA1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Вес и габариты
base product number
IMW65R048 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c
39A (Tc)
другие названия товара №
IMW65R048M1H SP005398439
eccn
EAR99
htsus
8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки
39 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
коммерческое обозначение
CoolSiC
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
package
Tube
pd - рассеивание мощности
125 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
33 nC
размер фабричной упаковки
240
rds вкл - сопротивление сток-исток
64 mOhms
rohs status
ROHS3 Compliant
серия
IMW65R048
технология
SiC
типичное время задержки при включении
14.6 ns
типичное время задержки выключения
15.4 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
вес, г
1
vgs - напряжение затвор-исток
5 V, + 23 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
5.7 V
вид монтажа
Through Hole
время нарастания
12.4 ns
время спада
11.4 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26