IMW65R048M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 39 А, 650 В, 0.048 Ом, TO-247

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IMW65R048M1HXKSA1
МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Вес и габариты
base product numberIMW65R048 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c39A (Tc)
другие названия товара №IMW65R048M1H SP005398439
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Вес и габариты
base product numberIMW65R048 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c39A (Tc)
другие названия товара №IMW65R048M1H SP005398439
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки39 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеCoolSiC
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
packageTube
pd - рассеивание мощности125 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора33 nC
размер фабричной упаковки240
rds вкл - сопротивление сток-исток64 mOhms
rohs statusROHS3 Compliant
серияIMW65R048
технологияSiC
типичное время задержки при включении14.6 ns
типичное время задержки выключения15.4 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
вес, г1
vgs - напряжение затвор-исток5 V, + 23 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5.7 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания12.4 ns
время спада11.4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль