IMW120R350M1HXKSA1, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 4.7 А, 1.2 кВ, 0.35 Ом, TO-247
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IMW120R350M1HXKSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор SIC DISCRETE
| Вес и габариты | |
| base product number | IMW120 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 4.7A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 1.2kV |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 15V, 18V |
| другие названия товара № | IMW120R350M1H SP001808376 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 5.3nC @ 18V |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 4.7 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 182pF @ 800V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | CoolSiC |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 1 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | Not Applicable |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-247-3 |
| pd - рассеивание мощности | 60 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 60W (Tc) |
| qg - заряд затвора | 5.3 nC |
| размер фабричной упаковки | 240 |
| rds on (max) @ id, vgs | 455mOhm @ 2A, 18V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 455 mOhms |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | CoolSiCв„ў -> |
| серия | IMW120R350 |
| supplier device package | PG-TO247-3-41 |
| technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| технология | SiC |
| типичное время задержки при включении | 7 ns |
| типичное время задержки выключения | 11.4 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| вес, г | 1 |
| vgs (max) | +23V, -7V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 7 V, + 23 V |
| vgs(th) (max) @ id | 5.7V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.7 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 0.7 ns |
| время спада | 21.5 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26