IGT60R190D1SATMA1, Транзистор: N-JFET, CoolGaN™, полевой, HEMT, 600В, 12,5А, Idm: 23А

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IGT60R190D1SATMA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор 600V CoolGaN Power Transistor
Вес и габариты
другие названия товара №SP001701702
id - непрерывный ток утечки12.5 A
канальный режимEnhancement
1 890
+
Бонус: 37.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 890
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор 600V CoolGaN Power Transistor
Вес и габариты
другие названия товара №SP001701702
id - непрерывный ток утечки12.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеCoolGaN
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности55.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора3.2 nC
размер фабричной упаковки2000
rds вкл - сопротивление сток-исток190 mOhms
технологияGaN
типичное время задержки при включении11 ns
типичное время задержки выключения12 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокPG-HSOF-8
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г3
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток0.9 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания5 ns
время спада12 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль