IGOT60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 31 А, 0.07 Ом, 5.8 нКл, PG-DSO-20-87, Su
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Gallium Nitride (GaN) FETs
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
Отзывов нет
