IGOT60R070D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 31 А, 0.07 Ом, 5.8 нКл, PG-DSO-20-87, Su

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IGOT60R070D1AUMA1
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Gallium Nitride (GaN) FETs
Вес и габариты
вес, г3.36
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Gallium Nitride (GaN) FETs
Вес и габариты
вес, г3.36
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль