IGLD60R190D1AUMA1, Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 В, 10 А, 0.14 Ом, 3.2 нКл, PG-LSON-8-1, Sur

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IGLD60R190D1AUMA1
Вес и габариты
вес, г0.1
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
вес, г0.1
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль