HUF76609D3ST

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
Вес и габариты
длина6.73 mm
другие названия товара №HUF76609D3ST_NL
Высота 2.39 мм
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
Вес и габариты
длина6.73 mm
другие названия товара №HUF76609D3ST_NL
Высота 2.39 мм
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности49 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора16 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток130 mOhms
серияHUF76609D3S
технологияSi
типичное время задержки при включении10 ns
типичное время задержки выключения30 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г0.2604
vgs - напряжение затвор-исток16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания41 ns
время спада28 ns
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль