HS8K11TB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Nch+Nch Power МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №HS8K11
id - непрерывный ток утечки7 A, 11 A
канальный режимEnhancement
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30V Nch+Nch Power МОП-транзистор
Вес и габариты
другие названия товара №HS8K11
id - непрерывный ток утечки7 A, 11 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора11.1 nC, 20.2 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток12.8 mOhms, 10.2 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении9.4 ns, 13.6 ns
типичное время задержки выключения26.8 ns, 47.3 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокHSML3030L-10
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания10.8 ns, 15 ns
время спада5.1 ns, 7.5 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль