HP8M51TB1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100 NCH+PCH POWER
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки4.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
720
+
Бонус: 14.4 !
Бонусная программа
Итого: 720
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100 NCH+PCH POWER
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки4.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности7 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel, P-Channel
qg - заряд затвора15 nC, 26.2 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток170 mOhms, 290 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении13 ns, 15 ns
типичное время задержки выключения50 ns, 75 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel, 1 P-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокHSOP-8
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания13 ns
время спада14 ns, 19 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль